Характеристики транзистора КТ8102А параметры и описание

0
9

Кт8102а характеристики транзистора

Если требуется надежный биполярный прибор с высоким напряжением коллектора, этот вариант подойдет для преобразователей и усилителей мощности. Максимальное напряжение 400 В и ток до 7 А позволяют использовать его в источниках питания и инверторах.

Коэффициент усиления по току (h21Э) варьируется от 15 до 60, что требует точного подбора экземпляров в схемах с жесткими требованиями к стабильности. Рассеиваемая мощность 60 Вт диктует необходимость эффективного теплоотвода – корпус ТО-126 рассчитан на монтаж на радиатор.

Граничная частота переключения 3 МГц ограничивает применение в высокоскоростных схемах, но для большинства импульсных преобразователей на 20-100 кГц этого достаточно. Обратите внимание на максимальную температуру перехода +150°C – при перегреве возможен необратимый выход из строя.

Электронные свойства и применение КТ8102А

Максимальный ток коллектора достигает 8 А, что позволяет использовать элемент в схемах с высокой нагрузкой. Напряжение между коллектором и эмиттером в режиме отсечки – до 100 В, что делает его пригодным для усилителей мощности и импульсных блоков питания.

Основные показатели

Коэффициент усиления по току (h21Э) варьируется от 15 до 60 в зависимости от рабочей точки. Рассеиваемая мощность без теплоотвода – 3 Вт, с радиатором – до 40 Вт. Частотная граница не превышает 3 МГц, что ограничивает применение в высокочастотных устройствах.

Рекомендации по эксплуатации

Основные электрические показатели КТ8102А и их влияние на работу схемы

Граничные режимы эксплуатации

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (UCEO) – 300 В. При превышении этого значения возможен пробой p-n перехода. Допустимый ток коллектора (IC) – 8 А, но для долговременной работы лучше не превышать 5 А. Рассеиваемая мощность (Ptot) – 60 Вт, требует эффективного теплоотвода.

Ключевые рабочие свойства

Коэффициент усиления по току (hFE) – от 15 до 60. При малых значениях нагрузка на управляющий сигнал возрастает. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UCE(sat)) – не более 1.5 В при IC = 5 А. Чем ниже этот показатель, тем меньше потери в ключевом режиме.

Рекомендации:

1. Для импульсных схем выбирайте экземпляры с hFE > 30 – это снизит требования к току базы.

2. При UCE > 200 В добавляйте снабберные цепи для защиты от выбросов.

3. Температура кристалла не должна превышать 150°C – используйте радиаторы с тепловым сопротивлением < 2.5°C/Вт.

Пример расчета: При IC = 4 А и hFE = 40 требуемый ток базы – 100 мА. Убедитесь, что драйвер обеспечивает такой ток с запасом 20%.

Конструкция и использование в радиосхемах

Корпус выполнен в металлостеклянном исполнении ТО-126, обеспечивающем тепловой контакт через монтажную пластину. Максимальная рассеиваемая мощность – 10 Вт при температуре до 150°C. Для отвода тепла обязательна установка на радиатор площадью не менее 50 см².

Применяется в выходных каскадах усилителей НЧ (2-20 Вт) и стабилизаторах напряжения. В схемах с нагрузкой до 3 А коллектор подключают через ограничительный резистор 0.5 Ом для защиты от перегрузки. Коэффициент передачи тока (h21э) 40-250 позволяет работать без дополнительных каскадов усиления в маломощных устройствах.

В импульсных схемах время переключения не превышает 1.2 мкс. Для стабильной работы в ВЧ-устройствах (до 3 МГц) параллельно переходу Б-Э включают керамический конденсатор 100 пФ.