Если требуется надежный биполярный n-p-n прибор для импульсных схем, КТ851Б – один из лучших вариантов. Он выдерживает напряжение до 1500 В и ток коллектора до 8 А, что делает его пригодным для преобразователей и высоковольтных ключей.
При выборе аналогов учитывайте предельную рассеиваемую мощность – 60 Вт. Корпус ТО-247 обеспечивает эффективный теплоотвод, но для стабильной работы необходим радиатор. Температурный диапазон от -60°C до +150°C позволяет использовать устройство в экстремальных условиях.
Коэффициент усиления (h21э) варьируется от 8 до 40, что требует точного подбора в схемах с обратной связью. Время включения не превышает 1 мкс, что критично для высокочастотных преобразователей. Для защиты от перегрузок рекомендуется использовать снабберные цепи.
Основные свойства и сфера использования КТ851Б
Максимальный ток коллектора – 8 А, напряжение до 400 В. Подходит для усилителей мощности низкой частоты и импульсных схем. Рабочая температура: от -60 до +150 °C.
Коэффициент усиления по току (h21Э) – от 15 до 60. Рассеиваемая мощность – 60 Вт. Корпус – ТО-220, удобен для монтажа на радиатор.
Рекомендуется в блоках питания, преобразователях и аудиоустройствах. Для стабильной работы обеспечьте теплоотвод при токах выше 3 А.
Альтернативы: КТ850В, КТ853А. При замене учитывайте разницу в предельных напряжениях и токовой нагрузке.
Основные электрические свойства КТ851Б и их роль в схемотехнике
Статические показатели
Коэффициент усиления (h21э) варьируется от 15 до 60. Для стабильной работы усилительных каскадов выбирайте экземпляры с разбросом не более 20%.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ нас) не превышает 1.5 В при токе 5 А. Высокое значение увеличивает потери в ключевых режимах.
Динамические свойства
Граничная частота (fгр) 3 МГц ограничивает использование в ВЧ-схемах. Для генераторов выше 500 кГц применяйте более быстрые аналоги.
Емкость коллекторного перехода (Cк) 300 пФ снижает быстродействие в импульсных цепях. Учитывайте при расчете времени переключения.
Тепловое сопротивление корпуса (Rтк-с) 3.5 °С/Вт требует радиатора при мощности рассеяния свыше 10 Вт. Для долговечности поддерживайте температуру кристалла ниже 125°C.
Типовые схемы включения КТ851Б в усилительных и ключевых режимах
Усилительный каскад с общим эмиттером
Для построения усилителя НЧ с коэффициентом усиления 30–50 используйте схему с общим эмиттером. Нагрузка – резистор 1–2 кОм в коллекторе, смещение задается делителем 10 кОм/4.7 кОм. Конденсатор в цепи эмиттера 50–100 мкФ повышает усиление по переменному току. Входной сигнал подавайте через разделительный конденсатор 1–10 мкФ.
Ключевой режим с индуктивной нагрузкой
При коммутации реле или двигателей добавьте защитный диод в обратном включении параллельно нагрузке. Ток базы – не менее 50 мА для насыщения, используйте резистор 100–220 Ом между базой и управляющим микроконтроллером. Максимальная частота переключения – 20 кГц при длительности фронтов до 3 мкс.
Важно: в обоих режимах корпус должен быть закреплен на радиаторе при токах свыше 1 А. Тепловое сопротивление переход–среда не должно превышать 40 °C/Вт.
