Разница между npn и pnp транзисторами

0
76

Npn и pnp

Для усиления сигналов в схемах с положительным напряжением питания чаще применяют устройства с прямой проводимостью. Основной носитель заряда здесь – электроны, что обеспечивает высокую скорость переключения. Такой вариант подходит для высокочастотных цепей и цифровой логики.

В контурах с отрицательным потенциалом удобнее использовать инверсную компоновку. Дырки в качестве основных носителей снижают быстродействие, но повышают устойчивость к перегрузкам. Это оптимальный выбор для силовых каскадов и аналоговых схем, работающих с большими токами.

Полярность управляющего напряжения в обоих случаях противоположна. Приборы с прямой проводимостью открываются положительным потенциалом на управляющем электроде, тогда как для активации инверсной структуры требуется отрицательное смещение. Это влияет на согласование каскадов в сложных устройствах.

Геометрия кристаллов отличается: в первом варианте область коллектора имеет максимальную площадь, во втором – эмиттер. Это определяет разницу в предельных параметрах. Коэффициент усиления у прямой структуры обычно выше на 20-30% при аналогичных размерах.

Особенности биполярных структур

Для корректного выбора типа прибора учитывайте полярность питания. В устройствах с положительным смещением коллектора применяйте первый вариант, с отрицательным – второй.

Направление тока

В первом случае носители заряда движутся от эмиттера к коллектору, во втором – в обратном направлении. Это определяет подключение источника: «+» на коллектор для первой группы, «-» для второй.

Практическое применение

Первая категория преобладает в схемах с общим эмиттером благодаря лучшим частотным характеристикам. Второй тип чаще встречается в выходных каскадах усилителей, где требуется согласование с отрицательным полюсом питания.

Коэффициент усиления у первой группы в среднем на 15-20% выше при аналогичных геометрических параметрах кристалла. Для второй группы характерно меньшее тепловыделение при равных рабочих токах.

Как распознать структуру биполярного прибора по схеме

Проверьте направление стрелки на условном обозначении: если она указывает от базы к эмиттеру – перед вами прибор с прямой проводимостью. В обратном случае – с инверсной.

Метод проверки мультиметром:

  1. Переведите тестер в режим проверки диодов.
  2. Прибор с прямой проводимостью покажет падение напряжения 0.6-0.7 В между базой и коллектором при прямом смещении.

Пример анализа схемы: если нагрузка подключена к коллектору, а управляющий сигнал подается на базу относительно эмиттера – это характерно для устройств с прямой проводимостью. В инверсных вариантах нагрузка обычно включается в цепь эмиттера.

В схемах с общим эмиттером положительное напряжение на базе относительно эмиттера активирует приборы с прямой проводимостью, тогда как отрицательное смещение характерно для инверсных моделей.

Критерии выбора структур с разной полярностью

Для схем с общим эмиттером, где требуется быстрое переключение, чаще применяют элементы с прямой проводимостью. Они обеспечивают меньшие потери на насыщение и работают стабильнее при высоких частотах.

В цепях с отрицательным питанием логичнее использовать приборы с обратной полярностью. Например, в выходных каскадах усилителей с однополярным источником они упрощают развязку по постоянному току.

При создании комплементарных пар в push-pull схемах сочетают оба типа. Это позволяет синхронизировать фронты сигнала и компенсировать температурные изменения параметров.

Для датчиков, подключаемых к микроконтроллерам, предпочтительны устройства с прямой проводимостью. Они совместимы с ТТЛ-уровнями и не требуют дополнительных инверторов.

В высоковольтных преобразователях свыше 200В выбор зависит от доступных моделей. Производители чаще выпускают мощные ключи с прямой полярностью, что определяет их преимущество в силовой электронике.